MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).
Abstract
The algorithm was worked out, witch allows to define obtained GaAs-based layers characteristics and the most significant epitaxy process technological parameters on the base of half-empiric dependences, if MOCVD process carriage conditions are known.Разработан алгоритм, позволяющий при известных условиях проведения процесса МОГФЭ (металлоорганическая газофазная эпитаксия) определить характеристики получаемых слоев на основе GaAs и важнейшие технологические параметры процесса эпитаксии с использованием полуэмпирических зависимостей
