Dans les nouvelles technologies des circuits intégrés, il est nécessaire que la résistivité des interconnexions soit très faibles, laconcentration des dopants aux contacts siliciure/silicium détermine directement cette résistance. Parmi ces dopants il y al’arsenic et le bore qui se caractérisent par des comportements variés d’un siliciure à un autre.Dans ce travail nous allons suivre le comportement du bore implanté dans un substrat de silicium avant le dépôt de la couchemétallique. Le titane est un métal très réactif avec l’oxygène pour cela nous avons utilisé l’encapsulation. Nous faisons le pointquant à l’effet de l’encapsulation par rapport à des échantillon non encapsulés.Cette étude a été menée en recuit thermique rapide. L’analyse des échantillons se fait par le rétro diffusion des particules(RBS). Les résultats seront traité par un modèle basé sur la chaleur effective de formation ce modèle qui s’appliquer bien pourles siliciures pures (sans présence des dopants ou autres impuretés). Nous avons élaboré un modèle général qui tient comptedes impureté
