Shingo Kakui

覚井 真吾

English

RISM (Repository of the Institute of Statistical Mathematics) / 統計数理研究所 学術研究リポジトリ

統計数理 第37巻 第1号（1989）雪の結晶成長のシミュレーション＊  東京工業大学理学部覚井真吾（1989年5月受付） 1．序 雪の結晶はその六方対称の美しさから長い間人々の興味をひいてきたわけであるが，六方対称性をもつ理由は，水の結晶，すなわち氷は六方晶系に属すること，それゆえに，表面張力の異方性が六方対称性をもつことの2点である．また，結晶が成長するときには次の3つの過程が関係している（黒田（1984））． ① 成長する界面へ分子，原子を補給する過程．すたわち，粒子の拡散過程． ② 成長する界面で発生した結晶化熱の輸送過程．すなわち，潜熱の拡散過程． ③界面に分子，原子だとが組み込まれる動的過程．すたわち，表面拡散過程． 結晶の成長速度はこれらの過程のうち，いずれが律速段階となるかでほぼ決まるが，特に，①および②の過程が樹枝状成長に大きく寄与していることがこれまでの研究で示されている（Nittmam and Stan1ey（1987），Fami1y et a1．（1987））． 2．樹枝状成長（Nittma皿n amd St㎜1ey（1987），臨mi1y et a1．（1987），L㎝ger（1980），   本田（1987），本庄他（1987）） 潜熱または分子の拡散現象は，次のように考えることができる．まず，いずれの場合も拡散方程式は              ∂丁      潜熱 D。▽2T＝     （丁 絶対温度，D。拡散係数）              ∂6              ∂C      分子 D。▽2C＝     （C 濃度，D。拡散係数）              ∂君となるが，界面の移動が十分遅いとして準定常的に取り扱い，次のように書く．      潜熱：▽2T＝O，  分子：▽2C＝Oこれはラプラス方程式にほかならたい． 次に，界面での連続条件を考える．潜熱であれば，界面で発生した潜熱が気相および固相に流れていくことを考えて，          工〃、＝［ノ）÷C二（9radT）、。lid一ノ）T C砂（9radT）v，P。、、］m一方，分子の拡散の場合には，＊本稿は，統計数理研究所共同研究（63一共会一51）における発表に基づくものである．32 統計数理 第37巻 第1号 1989               （C。一C、）6”＝（D．9・・dC）、ここで，v。は界面の成長速度，工は潜熱，C”は比熱，C。は固相の濃度，C∫一は界面での平衡濃度である．これらの式において固相の温度は一定とし，また，C。》C∫として界面での連続条件を次の形に書く．             潜熱：〃、＝一［DτC砂（gradT）。、。。、、］。             分子：Coo。＝（D．gradC）ηすなわち，これらの式によって界面の成長速度が与えられる．最後に境界条件としては次のものを用いる．            7→∞でT＝0  または  C＝C。。7＝界面ではGibbs－Thomsonの境界条件によって・一ル（1一チκ〉α一α（・・揚κ） ここで，TMは平面界面の平衡温度（融点），Cεは平面界面の平衡濃度，γは表面張力，ω。は分子1個当りの体積，κは曲率である． 以上のことからわかるように，突出部のように温度，濃度の勾配がきついところでは成長が速くだるが，表面張力はその効果を相対的に抑制する方向に働く．すたわち，これらの効果が複雑にからみあって樹枝状結晶として成長するのである． 3．吸着エネルギーによる成長確率の変化（黒田（1984）） 結晶表面に吸着された分子が結晶相に組み込まれる過程を考える．表面吸着分子は気相分子と比べて吸着エネルギー五αだけエネルギーの低い状態にある．この分子は熱ゆらぎによって亙αのエネルギーを受けると気相へ離脱するが，それまでの間は表面上を拡散している．ソを代表的た分子振動数とすると，離脱までの平均滞在時間は1一｛（制となるが，τが大きいほどその分子は結晶相に組み込まれる率が高いとみることができる．K図1．kink位置Kではψ1’。のエネルギー減少がある．雪の結晶成長のシミュレーション 33 ところで，M（》ユ）個の分子が凝集してバルク（M》1だからすべての分子が結晶内部にあると考え，表面の存在を無視する）の結晶をつくるとき，1分子当りのポテンシャルエネルギーの減少量は                ∠亙  1                M＝τ亭・・ψ・≡ψ・1・となる．ただし，ψ｛は着目した分子と第ゴ近接位置の分子との結合エネルギー，m｛は着目した分子に対する第ク近接分子数である．このように，1つの分子が表面上の格子点に入ったときにψ。’。のエネルギー減少が起こった場合，その分子は結晶相に完全に捕獲されたとみたすことができる．すなわち，結晶表面のkink位置（結晶表面上の一分子層の厚みの段差に沿って存在する折れ曲がりの場所，図1参照）では分子は必ず捕獲され，エネルギー減少がkink位置より少なければそれに応じて付着確率が変化すると考えることができる． 4．シミュレーションの方法 結晶が六方晶系であることと表面張力の異方性を反映させるために，三角格子を用いる．さらに，拡散過程の律速段階としては潜熱の拡散を考える．すると，結晶成長の規則は次のようたものにたる． ① 三角格子上で温度場を決定． ②界面でのgradTを求め，さらに，gradTの大きさに応じた成長確率を与える． ③吸着エネルギーの効果を考え，それに応じた成長確率を与える． ④②および③により，条件を満たした点を同時に成長させる． ⑤①に戻って繰り返す．三角格子上で温度場を決定するには次のようにする．すたわち，図2のように点ゴでの温度をハとし               1            T。＝一（T、十丁。十丁。十丁。十丁。十丁。）               6とする．これを気相となっているすべての点で平衡状態にたるまで続ける．ただし，境界条件として                 7→ooでT＝0κ＝界面で曲率に応じた平衡温度（Gibbs－Thomsonの境界条件を次のように評価する）・弍（・一4＋σ）をとる．ここで，r〃は平面界面の平衡温度，凡は最近接点6個のうち，固相とたっている点の数（図3参照），したがって，（4－M。）／3は曲率を表し，σは表面張力の大きさを表すパラメータである． 各点の成長は次のようにして行なう．界面でのgradTのうち，大きさが最大のものを選んで，それを19radT l㎜。とし，また，kinkの位置（最近接点6個のうち，半分が固相となっている点）ではM”＝3だから，次の条件を満たしたときその点を成長させる．34 統計数理第37巻第1号．ユ989。   。6  ．1  。   。。  。5  ．0  ．2  。  。。   。4  ．3  。   。     1図2．τ。＝一（τ1＋r2＋τ。十丁。十丁。十丁。）とする．     6ジル＝3ジル＝4。一気相・  固相図3．Mηの値に応じて平衡温度を変える．凡＝4のとき平面界面，凡〉4で凹，凡＜4で凸と考える、             （’gradr．／lgrad川m、、）η≧一様乱数             exp（凡・α）／exp（3α）≧一様乱数ここで，ηは異方性のパラメータ（大きいほど異方性が強く評価される），αは吸着エネルギーのパラメータである．すなわち，9radTが大きいほど，また，エネノレギー減少が大きいほど界面は成長しやすい． 5．結果とまとめ バラメータカミ              η＝2．0   σ＝O．015   α＝0．1              η＝2．O   σ＝O．03   α＝O．1の場合についての結果を図4および図5に示した．表面張力の値が同じであっても様々たパターン（樹枝状あるいは角板状）が得られたが，実際の雪の結晶と見比べてみても非常に似通っ雪の結晶成長のシミュレーション 35た形をしている．すなわち， （1）拡散過程を考えることにより，樹枝の成長が示される． （2） 吸着エネルギーの効果を取り入れることによって，同一のパラメータ（表面張力だと）   でも樹枝状成長と角板成長とが起こり得る．図4．η＝2．0，σ＝01015，α＝O．1の場合．36 統計数理 第37巻 第1号 1989図5．η＝2．O，σ＝O．03，α＝0．1の場合．雪の結晶成長のシミュレーション 37参 考 文 献Fami1y，F．，Platt，D．E．and Vicsek，T．（1987）．Deterministic growth mode1of pattem formation in    dendritic so1idiication，ノl P妙＆λ，20，Lユ177一ユエ83一本田勝也（1987）．結晶成長とフラクタル，『フラクタル科学（高安秀樹編）』，5－57，朝倉書店，東京．本庄春雄，太田正之輔，松下 貢（1987）・樹枝状結晶とフラクタル結晶，固体物理，22，958－967・黒田登志雄（1984）．結晶の成長機能と形（その4），固体物理，19，682－692．Langer，J．S．（1980）．Instabi1ities and pattem formation in crysta玉growth，地以Mo6em P妙∫．，52，1－    28．Nittmam，J．and Stan1ey，H．E．（1987）．Non－deterministic approach to anisotropic growth pattems    with continuously tmab1e morpho1ogy：The fracta1properties of some real snownakes，∫    P％ツs．λ，20，L1185－1191．38 Pr6ceedi逼gs of the Institute of Statistica1Mathematics Vol．37，No・1（1989）N㎜1erical Simu1ation for Growth Process of Snow Crysta1s                    Shingo Kakui     （Department of Physics，Tokyo Institute of Technology）   We carried out numerical simu1ations to investigate the processes ofdendrite crysta1growth．The essentia1processes of crysta1growth are as fo11ows：（1）diffusion of parti－c1es，（2）diffusion of1atent heat and（3）surface diffusion．   We assumedthattherate－1imitingstepinthegrowthofacrysta1fromitssupercoo1edvapour is the process（2）一the diffusion of1atent heat away from the moving interface toa co1d bath．The temperature丘e1d is determined by so1ving the1attice Lap1ace equation，and the effects of the anisotropy are induced by the1attice．Moreover，we introduced aprobabi1ity of growth depending on the absorption energy to consider the process（3）．Name1y，the interface grows deterministicany at a rate depending on the1oca1gradient andon the surface shape．As a resu1t，we obtained a wide variety of pattems（simi1ar to rea1snowHakes），that is sector p1ate or dendrite，at the same parameters．Key words1Lap ace equation，diffusion，anisotropy，absorption energy，dendrite，snowHakes．

雪の結晶成長のシミュレーション

https://ismrepo.ism.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=31629&item_no=1&attribute_id=17&file_no=1

雪の結晶成長のシミュレーション

Abstract

Similar works

Full text

Available Versions

RISM (Repository of the Institute of Statistical Mathematics) / 統計数理研究所学術研究リポジトリ

雪の結晶成長のシミュレーション

Abstract

Similar works

Full text

Available Versions

RISM (Repository of the Institute of Statistical Mathematics) / 統計数理研究所 学術研究リポジトリ

RISM (Repository of the Institute of Statistical Mathematics) / 統計数理研究所学術研究リポジトリ