Introduction et objectifs -- État des connaissances -- Techniques expérimentales et théoriques -- Calculs de la structure électronique d'alliage semi-conducteurs dilués III-V-N à l'aide d'un modèle de liaisons fortes empirique -- Mise en évidence de perturbations des bandes de valence dans le GaAsN -- Augmentation singulière du coefficient d'absorption avec l'incorporation d'azote dans les alliages GaAsN et GaInAsN -- Hétérostructures quantiques -- Discussion générale -- Conclusion, perspective et recommandations
