The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"
Abstract
The device-process simulation of the high-voltage silicon diode was performed at its forming in three types of epitaxial film: 1) 17.0SEPh2.0 (silicon doped phosphor of electron type conductivity with the thickness d = 17 μm and resistivity of pv = 2.0 Ohm.sm); 2) 25.0SEPh6.0 (d = 25.0 μm, pv = 6.0 Ohm.sm); 3) 25.0SEPh20.0 (d = 25.0 μm, pv = 20.0 Ohm.sm). Technological process parameters of diode structure making were defined and its design data was calculated for three types of epitaxial film, the comparison of calculated values with typical ones obtained experimentally was carried out. It was determined that the difference between calculated values and typical ones obtained by experiment is not more then ±10%. The device modeling of diode was performed and it was investigated how the thickness and resistivity of epitaxial film influence on structural and electrical features of diode.Приводятся результаты моделирования операций технологического маршрута и электрических характеристик высоковольтного кремниевого диода при изготовлении его в эпитаксиальной пленке трех типов: 17КЭФ2,0 (кремний, легированный фосфором, электронного типа проводимости толщиной d = 17 мкм с удель -ным электрическим сопротивлением ру = 2,0 Ом.см); 25,0КЭФ6,0 (d = 25,0 мкм, ру = 6,0 Ом.см); 25,0КЭФ20,0 (d = 25,0 мкм, ру = 20,0 Ом.см). Проведен расчет таких конструктивных параметров диодной структуры, как толщина остаточного окисла, поверхностное сопротивление, глубина залегания p-n-перехода. Выполнен сравнительный анализ результатов моделирования указанных параметров с их экспериментальными типовыми значениями. Рассчитаны зависимости значений электрического тока диода от прямого и обратного электрических напряжений, прикладываемых к р-n-переходу прибора, для трех типов эпитаксиальной пленки. Исследовано влияние таких параметров эпитаксиальной пленки, как толщина d и удельное электрическое сопротивление, на конструктивные параметры и электрические характеристики диода
