The paper presents results of the new developed approach to manufacturing of original topology using photographic masks that allows to perform a real-time estimation of photolithographic significance of the pattern defects on a mask being detected while controlling the correspondence of the photographic masks to the required topology. In this case such operation as projection transfer of an image from the photographic mask to wafer has not been applied. The given approach excludes not only single but topology group defects as well and also optical proximity correction structure defects. Приводятся результаты разработки нового подхода к изготовлению оригиналов топологии на фотошаблонах, обеспечивающего возможность оперативной оценки фотолитографической значимости дефектов маски, обнаруженных в процессе контроля фотошаблонов на соответствие топологии, без выполнения операции проекционного переноса изображения с фотошаблона на полупроводниковую пластину. Данный подход гарантирует отсутствие не только одиночных, но и групповых дефектов топологии, а также дефектов структур коррекции оптической близости
