FIELD: semiconductor material science. SUBSTANCE: invention relates to the technology of producing thin photosensitive films of lead selenide, which are widely used in devices for detecting infrared radiation in range of 1–5 mcm. Lead selenide films are deposited on a dielectric substrate from aqueous solutions containing a lead (II) salt, ethylenediamine, ammonium acetate, ammonium iodide, selenourea, during precipitation, tin (II) chloride is additionally added to the solution as an inhibitor of the selenourea oxidation process in amount of 0.0005–0.003 mol/l. Freshly deposited samples are subjected to thermal treatment at 653–673 K. EFFECT: technical result of invention is high photosensitivity of lead selenide films to infrared radiation up to 300 V/W at room temperature and up to 1,853 K at shallow cooling to −60 °C. 1 cl, 1 tbl, 3 ex.Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, а именно к технологии получения тонких фоточувствительных пленок селенида свинца, находящих широкое применение в приборах регистрации ИК-излучения в диапазоне 1-5 мкм. Пленки селенида свинца осаждают на диэлектрическую подложку из водных растворов, содержащих соль свинца (II), этилендиамин, ацетат аммония, йодид аммония, селеномочевину, при осаждении в раствор дополнительно вводят хлорид олова (II) в качестве ингибитора процесса окисления селеномочевины в количестве 0,0005-0,003 моль/л. Свежеосажденные образцы подвергают термообработке при 653-673 K. Технический результат изобретения: повышение фоточувствительности пленок селенида свинца к ИК-излучению до 300 В/Вт при комнатной температуре и до 1853 K при неглубоком охлаждении до -60°С. 1 табл., 3 пр
