В работе исследованы морфология и электрические характеристики автоэмиссионных графен/SiC наноструктур с использованием методов СЗМ. Проведена оценка влияния геометрии графен/SiC наноструктур с учетом радиуса закругления вершины эмиттера и межэлектродного расстояния на автоэлектронную эмиссию.The morphology and electrical characteristics of field emission graphene/SiC nanostructures were investigated using SPM. The effect of design of graphene/SiC nanostructures on field emission was estimated taking into account the rounding-off radius of the emitting top and the interelectrode distance.Результаты работы были получены с использованием инфраструктуры Центра коллективного пользования и научно-образовательного центра «Нанотехнологии» Южного федерального университета
