Tecnológico Nacional de México / Instituto Tecnológico de Celaya
Abstract
En esta comunicación presentamos los resultados de la fabricación de láseres semiconductores con su caracterización morfológica y óptica de láseres de confinamiento óptico y electrónico de puntos cuánticos autoensamblados de InAs crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares y el proceso post crecimiento de la heteroestructuras láser. El crecimiento fue monitoreado In Situ mediante RHEED con el haz de electrones incidente paralelo a la dirección [1 - 10]. Imágenes de microscopía de Fuerza Atómica (MFA) y de Efecto Túnel demostraron la formación de heteroestructuras nanométricas de geometrías distintas. Las películas fueron caracterizadas por fotoluminiscencia y se tomaron espectros a diferentes temperaturas. El dispositivo fue caracterizado eléctricamente por electroluminiscencia. Los láseres operan atemperatura ambiente con corriente pulsada y con potencias pico de 12 mW
