Studies of High Quality InP Layers Heteroepitaxially Grown on Si Substrates by Epitaxial Lateral Overgrowth

Abstract

報告番号: 甲11825 ; 学位授与年月日: 1996-03-29 ; 学位の種別: 課程博士 ; 学位の種類: 博士(工学) ; 学位記番号: 博工第3623号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工学専