research

Mjerenje radne temperature IGBT-a u stvarnom vremenu

Abstract

Temperature management and control are among the most critical functions in power electronic devices. Knowledge of power semiconductor’s operating temperature is important for circuit design, as well as for converter control. Virtual junction temperature measurement or estimation is not an easy task, therefore designing the appropriate circuitry for virtual junction temperature in the real operating conditions not affecting regular circuit operation is a demanding task for engineers. The proposed method enables virtual junction temperature estimation based on the real-time measurement of semiconductor’s quasi-threshold voltage using dedicated modified gate driver circuit.Upravljanje temperaturom je jedna od najkritičnijih funkcija kod učinskih poluvodičkih komponenata. Poznavanje radne temperature učinske poluvodičke sklopke vrlo je važno pri projektiranju sklopa, kao i za upravljanje učinskim pretvaračem. Mjerenje ili estimacija nadomjesne temperature silicija nije lagan zadatak, stoga je projektiranje odgovarajućeg sklopovlja za određivanje nadomjesne temperature silicija u stvarnim radnim uvjetima, koje ne utječe na normalan rad sklopa, vrlo zahtjevan inženjerski zadatak. Predložena metoda omogućava određivanje nadomjesne temperature silicija utemeljeno na mjerenju kvazi-napona praga u stvarnom vremenu pomoću posebno prilagođenog pobudnog stupnja IGBT-a

    Similar works