Гайчук, А.С.

Сичиков, Я.О.

Electronic Sumy State University Institutional Repository

ДЕФЕКТНЫЙ МЕХАНИЗМ ПОРООБРАЗОВАНИЯ  ФОСФИДА ИНДИЯ  Гайчук А.С., студент; Сичикова Я.О., аспирант Бердянский государственный педагогический университет  Интерес к изучению дефектов кристаллов и их влияния на формирование пористых слоев полупроводников возрос из-за требований, предъявляемых к чистоте и совершенству кристаллов, любое отклонение от которых ведет к появлению дефектности. Остаются  нерешенными вопросы, связанные с методами получения пористых структур InP, механизмами их формирования и зависимостью условий порообразования  от внутренних дефектов и несовершенств кристаллов. Нами разработана методика получения пористых слоев InP методом электрохимического травления в растворах плавиковой кислоты, исследованы морфология и химический состав пористой поверхности. Установлено, что плотность входных отверстий пор, так же как и степень пористости макроскопически пористых слоев варьируется в широком диапазоне в зависимости от ориентации полупроводника, уровня легирования, типа присутствующих в растворе анионов и условий анодирования. Неоднородность распределения пор на поверхности образцов InP объяснена с точки зрения присутствия дефектов (в основном дислокационного типа) на поверхности исходного кристалла и термоупругих механических напряжений. Выявлено полосчатая структура пористой поверхности, которая обусловлена особенностями выращивания монокристаллов.  При изучении наноструктур пористых слоев установлены особенности механизмов порообразования для исследуемых образцов n-InP, которые обусловлены выходом дислокаций на (111) поверхность и ростом пор как вдоль поверхности, так и перпендикулярно ей. Оценка химического состава поверхности пористых слоев InP показала, что поры не заполняются электролитом; компонентный состав поверхности пористого материала полупроводника составляют продукты неполного окисления полупроводника, возникающие при его взаимодействии с ионами раствора электролита. 

Дефектный механизм порообразования фосфида индия

SocioEconomic Challenges Journal (Sumy State University)

ДЕФЕКТНЫЙ МЕХАНИЗМ ПОРООБРАЗОВАНИЯ  
ФОСФИДА ИНДИЯ 
 
Гайчук А.С., студент; Сичикова Я.О., аспирант 
Бердянский государственный педагогический университет 
 
Интерес к изучению дефектов кристаллов и их влияния на формирование пористых слоев 
полупроводников возрос из-за требований, предъявляемых к чистоте и совершенству кристаллов, 
любое отклонение от которых ведет к появлению дефектности. 
Остаются  нерешенными вопросы, связанные с методами получения пористых структур InP, 
механизмами их формирования и зависимостью условий порообразования  от внутренних дефектов и 
несовершенств кристаллов. 
Нами разработана методика получения пористых слоев InP методом электрохимического 
травления в растворах плавиковой кислоты, исследованы морфология и химический состав пористой 
поверхности. Установлено, что плотность входных отверстий пор, так же как и степень пористости 
макроскопически пористых слоев варьируется в широком диапазоне в зависимости от ориентации 
полупроводника, уровня легирования, типа присутствующих в растворе анионов и условий 
анодирования. Неоднородность распределения пор на поверхности образцов InP объяснена с точки 
зрения присутствия дефектов (в основном дислокационного типа) на поверхности исходного 
кристалла и термоупругих механических напряжений. Выявлено полосчатая структура пористой 
поверхности, которая обусловлена особенностями выращивания монокристаллов.  
При изучении наноструктур пористых слоев установлены особенности механизмов 
порообразования для исследуемых образцов n-InP, которые обусловлены выходом дислокаций на 
(111) поверхность и ростом пор как вдоль поверхности, так и перпендикулярно ей. 
Оценка химического состава поверхности пористых слоев InP показала, что поры не заполняются 
электролитом; компонентный состав поверхности пористого материала полупроводника составляют 
продукты неполного окисления полупроводника, возникающие при его взаимодействии с ионами 
раствора электролита. 


https://essuir.sumdu.edu.ua/bitstream/123456789/12800/3/39.pdf

Дефектный механизм порообразования фосфида индия

Abstract

Similar works

Full text

Available Versions

Electronic Sumy State University Institutional Repository

SocioEconomic Challenges Journal (Sumy State University)