Theoretische Beschreibung von Exzitonen in druckinduzierten Potentialfallen bei ultratiefen Temperaturen in Kupferoxydul

Abstract

Die vorgelegte Dissertation widmet sich der theoretischen Beschreibung von Exzitonen (gebundenen Elektron-Loch-Paaren in angeregten Halbleitern) bei ultratiefen Temperaturen in Kupferoxydul. Hierzu werden verschiedene Methoden der modernen Vielteilchentheorie verwendet, um die Exzitonen im Gleichgewicht sowie im Nichtgleichgewicht beschreiben zu können. Die Ergebnisse der numerischen Berechnungen werden mit Hinblick auf eine mögliche Bose-Einstein-Kondensation der Exzitonen diskutiert und mit den vorhandenen experimentellen Resultaten verglichen

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