Hadziabdic, Dzenan

Blandt de vigtiste begrænsende faktorer i højhastighedskommunikation og højopløsning-radarer er forvrængning og en lav effektivitet i effektsignal-kilderne. Høj effekt er nødvendig for transmission af signaler. Fremgang i genereringen af mikrobølge og millimeterbølge (mmbølge) signaler stammer primært fra anvendelsen af de nye materialer som gallium-nitrit (GaN) og silicium-karbid (SiC) samt fremstilling af indium-fosfid (InP) transistorer. Et mål med denne afhandling er at vurdere GaN HEMT teknologien mht. lineær og effektiv signalgenerering. Mens de fleste artikler om GaN HEMT effekttransistorer koncentrerer sig om én-tone performances, vil denne undersøgelse også omfatte målinger af to-tone intermodulation-forvrængning. En 8GHz to-trins effekt forstærker (PA) MMIC er blevet udviklet. Harmonisk afstemning var foretaget for at forøge effektiviteten (PAE). Transistorerne blev forspændt i klasse-AB, hvor en lav forvrængning og et højt PAE blev observeret. Den estimerede udgangseffekt på 42.5 dBm og 31.3% PAE er i størrelsesorden med de publicerede state-of-the-art resultater for GaN HEMT forstærkere. Trådløse kommunikationssystemer planlagt til den nære fremtid vil operere ved E-bånd, 71-86 GHz, og de mangler mm-bølge PA’er, der muliggør trådløs signaltransmission over afstande på 1-2 km. Det andet mål med denne afhandling er teknologiundersøgelse og udvikling af en E-bånds PA. InP HBT teknologi blev valgt pga. de høje operationsspændinger rapporteret for disse transistorer. Egenskaber af en InP HBT og en SiGe HBT blev sammenlignet ved hjælp af deres transistormodeller. Med dette formål blev en 0:21¹m SiGe HBT nøjagtigt karakteriseret vha. VBIC95 model. Modelleringsarbejdet inkluderede udvikling af en ’de-embedding’ metode og anvendelsen af direkte parameterekstraktion. Sammenligning mellem HBT’ene afslørede bl.a. at SiGe HBT’en opererer ved meget højere strømtæthed og udvikler en lavere temperatur end den brugte InP HBT. InP HBT’en kan dog operere ved en højere spænding. En totrins InP HBT PA er blevet udviklet. Rekord performance niveauer blev simularet: en udgangseffekt på 150 mW samt PAE på 15%. Den målte forstærkning ved 77 GHz var 7.5 dB. Den relative 3dB båndbredde var 45%. Resistive belastninger blev brugt for at sikre ’even-mode’ og ’odd-mode’ stabiliteten. I mange systemer for direkte konvertering og i modtagere med spejlfrekvensundertrykkelsen er det desuden nødvendigt at kunne generere signaler med et nøjagtigt kvadraturforhold. Publikationer om analyse og design af mm-bølge spændingskontrolerede kvadratur-oscillatorer (QVCO’er) findes kun i begrænset omfang. Det tredje mål med denne afhandling er behandling af disse problemer. Den skadelige indvirkning af forbindelseslinier og HBT’ens parasitiske elementer på en differential oscillator var analyseret. Den udviklede QVCO bestå af to koblede InP HBT LC-oscillatorer. En simpel metode til at forudsige de uønskede oscillationer er forelagt. Frekvensafstemningen kombinerer modulering af koblingsstyrken og modulering af HBT kapacitanserne. QVCO’en udviste en effekt på omkring -14.7 dBm per kanalen, samt en state-of-the-art frekvens og afstemningsområde, 37-47.8 GHz. Den simulerede fasestøj ligger imellem -85 og -88 dBc=Hz ved 1MHz afstand fra bærebølgen.Among the major limitations in high-speed communications and highresolution radars is the lack of efficient and powerful signal sources with low distortion. Microwave and millimeter-wave (mm-wave) signal power is needed for signal transmission. Progress in signal generation stems largely from the application of novel materials like galliumnitride (GaN) and silicon-carbide (SiC) and fabrication of indiumphosphide (InP) based transistors. One goal of this thesis is to assess GaN HEMT technology with respect to linear efficient signal power generation. While most reports on GaN HEMT high-power devices concentrate on single-tone performance, this study also encompasses two-tone intermodulation distortion measurements. An 8GHz two-stage power amplifier (PA) MMIC was developed. Harmonic tuning was performed to enhance the power-added efficiency (PAE). The transistors were biased in deep class-AB where low distortion and high PAE were observed. The estimated output power of 42.5 dBm and PAE of 31.3% are comparable to the state-of-the-art results reported for GaN HEMT amplifiers. Wireless communication systems planned in the near future will operate at E-band, around 71-86 GHz, and require mm-wave-PAs to boost the transmitted signal over distances of 1-2 km. The second goal of this thesis is technology study and development of an InP HBT based E-band PA. The InP HBT technology was chosen based on the high voltage operation reported for these devices. Characteristics of a 1:5¹m InP HBT and a 0:21¹m SiGe HBT were compared by means of their models. For that purpose, the SiGe HBT was accurately characterized using VBIC95 model. The modeling work included developing a de-embedding method and application of direct parameter extraction. The comparison between the HBTs revealed, among other things, that the SiGe HBT operates at much higher current density and develops lower temperature than the InP HBT. The InP HBT offers, however, higher voltage operation. A two-stage InP HBT PA was developed. Record performance levels were simulated: an output power of »150 mW with PAE of 15%. The measured gain was 7.5 dB at 77 GHz and relative bandwidth was 45%. Resistive loadings were used to ensure even and odd-mode stability. Another need in many direct conversion systems and image reject receivers is to generate signals with accurate quadrature offset. Only limited work has been published on design and analysis of mm-wave quadrature voltage controlled oscillators (QVCOs). Third goal of this thesis is to deal with these problems. Deleterious effects of interconnects and HBT parasitics on a differential oscillator were analyzed. The developed QVCO comprises two coupled differential InP HBT LC-oscillators. A simple method of predicting unwanted oscillations was proposed. The frequency tuning combines modulation of the coupling strength and modulation of the HBT capacitances. The developed QVCO demonstrated around -14.7 dBm power per single-ended output and state-of-the-art frequency and tuning range, 37-47.8 GHz. Simulated phase noise ranged from -85 to -88 dBc=Hz at 1MHz offset from the carrier

Online Research Database In Technology

Microwave and Millimeter-Wave Signal Power Generation

http://orbit.dtu.dk/ws/files/5058481/thesis_dh_02.pdf

Microwave and Millimeter-Wave Signal Power Generation

Abstract

Similar works

Full text

Available Versions

Online Research Database In Technology