一种金属酞菁纳米线的制备方法

Abstract

本发明揭示了一种生长单分散、平贴衬底的金属酞菁纳米线的制备方法,其特征在于包括步骤:I、以金属酞菁和三氧化二铝按质量比1∶100研磨混合作为原料,将所述原料取料与衬底一并置入容器中以备加热生长;II、在容器中充填惰性保护气体氮气或氩气并保持腔内压强6×10-2Pa,对所述容器实施加热,使得原料在450℃-500℃下恒温生长20min-60min后随容器冷却至常温,在硅衬底上生长形成单分散的平贴衬底的金属酞菁纳米线。应用本发明方法制备单分散平贴衬底的金属酞菁纳米线,工艺简单易行、成本低,酞菁纳米线与硅衬底接触良好,为进一步研究单晶金属酞菁纳米线的场效应特性提供可能