Atoomlaagdepositie voor het verbeteren van het rendement van silicium zonnecellen

Abstract

Toepassing van Al2O3 aangebracht met atoomlaagdepositie leidt tot uitmuntende oppervlaktepassivatie van c-Si. Zo verbeterde het rendement van een n-type zonnecel met 1% absoluut na toepassing van een ultradun Al2O3 laagje op de p-type emitter