Telah dilakukan percobaan Pengaruh Suhu terhadap Konsentrasi Pembawa Muatan Pada Semikonduktor, dengan menggunakan dioda jenis Silikon (IN540,1N4001,IN6A05) dan Germanium (0A90,0A60,151555).
Penelitian ini dilakukan pada suhu 30°C hingga 90°C dengan kenaikan 10°C. Sedang tegangan yang digunakan adalah 0,45V hingga 0,80V Untuk dioda Silikon dan 0,10V hingga 0,50V untuk dioda Germanium masing-masing dengan kenaikan 0,05V.
Dari percobaan yang telah dilakukan diperoleh hasil banyaknya konsentrasi intrinsik Silikon (ni) pada suhu kamar (303°K) adalah (1,8 ± 0,1).101°Cm-3 dan pada suhu. 363°K adalah (2,8± 0,1).1011Cm3. Sedangkan untuk Germanium pada suhu kamar adalah (2,2 ± 0,3).1013 Cm-3 dan (8,0 ± 0,2).1e3 cm-3.
An experiment: has been done on the influence of themperature on the carrier concentration at semiconductor by using the typical diodes of both Silikon (1N540, 1N4001, 1N6A06) and Germanium (0A90, OAS°, 151555).
The experiment has been done in themperature 30°C to 96°C with increasingly 10°C. While voltage used is 0,45V to 0,80V for Silikon diode and 0,1V to 0,50V for Germanium one, respectively with increasingly steps 0,05V.
The experiment has been done result the amount of Silicon Intrinsic concentration such as room themperature (303°X) is (1,8 ± 0,1)x1010
em— and themperature 383°k
(2,8 ± 0,1)x 10cm-3 Germanium at room themperature mean while is (2,2 ± 0,3)x 101 cm-3and (8,0± )x1014 CM3.
XV
! Ylission to any medium or format for the purpose of prese
