In dieser Arbeit wurden Untersuchungen zum Wachstum und der Grenzflächenbildung der beiden II-VI Verbindungshalbleiter CdS und CdTe durchgeführt. Im Mittelpunkt stand die Ermittlung des Einflusses der Substratorientierung, weshalb Schichten auf definierten Oberflächen von Einkristallen präpariert wurden. Als Substrate wurden CdS-Kristalle mit den Orientierungen (0001) und (1010) sowie CdTe-Kristalle mit den Orientierungen (111) und (110) verwendet, auf denen das jeweils andere Material durch thermisches Sublimieren im Ultrahochvakuum abgeschieden wurde.
Charakterisiert wurden die Oberflächen bzw. Schichten mittels hochauflösender Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS) am Synchrotron BESSY II (Berlin), Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) sowie der Rasterkraftmikroskopie (AFM).
Die Untersuchungen ergaben, dass bei allen Substratorientierungen eine starke Wechselwirkung zwischen Schicht und Substrat existiert, die zu einem epitaktisch orientierten Wachstum führt, d.h. die Schichten wachsen in einer zum Substrat passenden Kristallrichtung. Dabei wurden jedoch deutliche Unterschiede im Bezug auf die Wachstumsraten und die Nukleation beobachtet. Unabhängig davon wurde für alle Grenzflächen eine konstante Bandanpassung von 1,03eV festgestellt
