Memory Effects in Multi-Terminal Solid State Devices and their Applications
- Authors
- A. Chanthbouala
- A. Cywar
- A.R. Pease
- C. Kugeler
- C.N. Lau
- D. Sacchetto
- D. Sacchetto
- D. Sacchetto
- D. Sacchetto
- D. Sacchetto
- D. Sacchetto
- D. Sacchetto
- D.R. Stewart
- E. Linn
- E.F. Arkan
- F. Miao
- F.Z. Wang
- H.Y. Jeong
- J. Appenzeller
- J. Blanc
- J. Borghetti
- J. Lou
- J. Martinez-Rincon
- J. Martinez-Rincon
- J. Sun
- J. Svensson
- J. Yao
- J.E. Green
- J.J. Yang
- J.J. Yang
- K. Tsunoda
- K.J. Han
- L. Chua
- L. Chua
- M. Bawedin
- M. Bawedin
- M. Haykel
- M. Lin
- M. Ziegler
- M.H.R. Lankhorst
- R. Dong
- R. Waser
- R. Waser
- S. Chang
- S. Ecoffey
- S. Kaeriyama
- S. Shin
- S.M. Sze
- S.S. Sheu
- T. Berzina
- T. Driscoll
- T. Prodromakis
- T. Sakamoto
- U. Diebold
- V. Zhirnov
- W. Zhu
- W.G. Kim
- W.Y. Chang
- X. Wang
- Y. Chen
- Y. Kaneko
- Y. Kim
- Y.V. Pershin
- Y.V. Pershin
- Y.Y. Liauw
- Z. Wei
- Publication date
- 1 January 2014
- Publisher
- 'Springer Science and Business Media LLC'
- Doi