L’industrie de la microélectronique met en œuvre des procédés de fabrication innovants afin d’assurer l’amélioration des performances et l’augmentation de la durée de vie des technologies à base de matériaux semi-conducteurs. L’assemblage par collage direct est un procédé permettant de lier des tranches de silicium entre elles. Ainsi, il est possible de connecter différentes technologies, de réaliser des assemblages 3D ou encore de fermer des cavités, notamment pour les applications de type MEMS. Comme le collage direct se fait par interaction chimique directement entre les surfaces à assembler, il est impératif de contrôler la rugosité de ces surfaces. L’étude et l’optimisation du polissage mécano-chimique (CMP) sur des surfaces d’ISDP ont été réalisées afin de minimiser la rugosité de surface (<0,2nm RMS) et d’assurer la réussite des collages directs. L’utilisation de ce procédé a rendu possible le collage direct ISDP/ISDP et a permis d’améliorer le collage direct ISDP/SiO2. Ces résultats sont appuyés par des analyses mécaniques, optiques ou encore par la mesure de taux de fuite sur des cavités sous vide
