一种P型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法

Authors
Publication date
20 January 2010
Publisher

Abstract

本发明公开了一种p型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法，采用电子束蒸发技术和快速热退火技术来制备p型导电的氧化亚锡沟道层。该制备方法简单可控，可实现低温制备；制得的晶体管具有较高的场效应迁移率，可用于有机发光二极管以及发展氧化物基低损耗补偿逻辑电路等，在显示器技术领域中应用前景十分广阔

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