En la presente investigación, se realizaron cálculos de primeros principios para obtener la estabilidad energética y la estructura electrónica de la adsorción e incorporación de carbono en la superficie (110)GaAs con geometrías 1x1, 1x2 y 2x1. Los cálculos se realizaron en el marco de la teoría del funcional densidad (DFT). Los efectos de intercambio y correlación se describen con la aproximación de gradiente generalizado (GGA). Las ecuaciones de Kohn-Sham se resuelven de manera autoconsistente usando una base de ondas planas, y una representación de pseudopotenciales para los estados de core. Se construyó una terraza atómica con ocho capas atómicas, y un vacío del orden de nueve capas atómicas equivalentes a ~16?. Los resultados de energía total en la geometría 1x1, muestran que la configuración más estable en la adsorción de carbono es T1c, con formación de enlaces As-C dentro de la superficie. Sin embargo, las energías de formación revelan que la incorporación de C en los sitios sustitucionales de As es energéticamente más favorable, en buen acuerdo con los reportes experimentales. La estructura electrónica muestra que la configuración C-1 exhibe una brecha de energía prohibida indirecta ?-X; mientras que para la incorporación As-(0/1/0) se observa un comportamiento semi-metálico con una brecha de energía directa. En las geometrías 1x2 y 2x1, el modelo con mayor favorabilidad energética corresponde al modelo de incorporación I-ECLS. La estructura electrónica de la reconstrucción I-ECLS muestra un comportamiento semiconductor con una brecha de energía prohibida directa en el punto
