En este trabajo se investiga la influencia de diferentes tratamientos sobre la superficie de silicio multicristalino (m-Si) tipo p, para la revelación de fronteras de grano y defectos intragrano. La selección del mejor tratamiento de la superficie se hizo en base a la caracterización mediante las técnicas de microscopia óptica y LBIC (laser beam induced current). Para esta selección, las obleas de m-Si primero fueron cortadas en pedazos de 2x2cm2 y posteriormente atacadas mediante diferentes tratamientos superficiales. Se analizaron tanto muestras pulidas mecanicamente, así como muestras atacadas químicamente. Posteriormente todas las muestras fueron metalizadas con oro en ambas caras mediante pulverización catódica, variando el tiempo de deposición, hasta conseguir espesores de capa optimizados para hacer mapeo LBIC, sin necesidad de una unión p-n. Se analizaron eléctricamente estas metalizaciones mediante curvas corriente-voltaje, capacitancia-voltaje, conductancia-voltaje, capacitancia-frecuencia y conductancia frecuencia a las muestras de mejor respuesta LBIC. Finalmente, se seleccionó la muestra metalizada cuyo tratamiento superficial presenta mejor respuesta LBIC. Los resultados de los mapas LBIC y el análisis eléctrico se discuten en este trabajo
