'Faculty of Islamic Studies - University of Muhammadiyah Jakarta'
Abstract
Saat ini, riset tentang divais elektronik yang memakai bahan organik banyak dilakukan. Divais elektronik organik memiliki banyak kelebihan dibandingkan dengan divais elektronik silikon seperti kelenturan dan lain-lain. Untuk kali ini, akan dijelaskan pengaruh ketebalan lapisan isolator gerbang (G) SiO2 terhadap karakteristik transfer (ID-VG) dan karakteristik penguatan (ID-VD) dari transistor efek medan organik yang telah difabrikasi. Pertama, lapisan isolator SiO2 ditumbuhkan dengan menggunakan metode oksidasi termal dengan ketebalan 100 nm - 500 nm. Selanjutnya, sebagai bahan semikonduktor organik, pentacene dideposisikan dengan ketebalan 50 nm pada suhu ruang dengan metode evaporasi termal pada kevakuman 8×10-6 Torr. Terakhir, terminal source dan drain dibentuk dari emas dengan metode evaporasi termal dengan ketebalan 30 nm. Panjang kanal dan lebar kanal dari transistor masing-masing adalah 200 µm dan 500 µm. Hasil pengukuran karakteristik ID-VD menunjukkan bahwa mobilitas lubang meningkat dari 0.03 cm2/(Vs) ke 0.1 cm2/(Vs) seiring berkurangnya ketebalan SiO2 dari 500 nm ke 100 nm