一种制作黑硅材料的方法

Abstract

本发明公开了一种利用波长为1064nm和532nm两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法，该方法包括：步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；步骤2：利用经过透镜聚焦的波长为1064nm和532nm的两种激光器光源，先后扫描辐照硅片表面，形成包含硅微锥、硅微粒和硅微洞的微结构黑硅材料。本发明将长波光源作用深度深、短波光源作用深度浅的特点同时融入黑硅材料的制作中，拓展了硫系掺杂物和硅微锥、微粒和微洞在表面层的范围，所以能够更充分地吸收入射光，将全太阳光谱的吸收系数提高到90％以上