低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究

Abstract

研究了低温下分子束外延生长GaAs(LTG-GaAs)样品的稳态和瞬态发光。从200℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体GaAs激子峰有一定蓝移。此外，发现在体GaAs上生长LTG-GaAs薄膜可大大减小体GaAs衬底材料中本片发光的衰减时间，但对(e,A°)发光影响不大。用上转换方法对退火和未退火LTG-GaAs样品瞬态发光进行了测量，获得了关于LTG-GaAs中复合中心和陷阱中心的信息