HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究

Abstract

该文通过变温的Hall测量系统地研究了GaAs基HEMT和PHEMT以及InP基HEMT三种结构材料的电子迁移率μ_n和二维电子浓度n_s。仔细地分析了不同HEMT结构材料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同HEMT材料结构对电子浓度的影响。研究结果表明InP基HEMT的n_s×μ_n值比GaAs基HEMT和PHEMT的n_s×μm值都大，说明可以用n_s×μ_0值来判断HEMT结构材料的性能好坏