低阈值基横模脊形波导GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

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Publication date
1 January 1995
Publisher

Abstract

报道了脊形波导结构GaAs/AlGaAs量子阱激光器的研究成果,采用湿法化学腐蚀方法,通过对器件结构参数的优化,制备了性能优越的脊形波导GaAs/AlGaAs量子阱激光器,器件的阈值电流低于10mA,最低值为7.3mA.而且实现了基横模工作,这是国内报道的该结构激光器的最好水平

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