InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的可靠性

Abstract

利用分子束外延方法研制的InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料制备了窄条型脊型波导结构量子阱激光器件。通过对其50℃高温加速老化，检测了器件的可靠性，并对器件中存在的三种典型退化行为，即快速退化、慢退化和端面光学灾变损伤进行了分析与研究