GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件

Abstract

采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响,给出研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果,对于常通型及常闭型调制器,其两态衬比度可达10 dB。所研制的SEED器件,其导通光能耗低于10 fJ/(μm)~2,实现其光学双稳态及R-S光触发器工作