GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法

Abstract

用分子束外延技术(MBE)在GaAs量子阱中嵌入InAs亚单层，可以有效地改变量子阱的激子能量，从而达到波长调谐的目的。激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度，并和InAs层厚度有关。利用有效质量近似，计算给出了能量调谐曲线，结果与实验符合较好。该文给出的结果提供了一种改变量子阱发光器件波长的新方法