分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究

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Publication date
1 January 2005
Publisher

Abstract

报道了(GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs)／GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果．变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质．讨论了光谱双峰结构的跃迁机制．通过优化生长条件，获得了室温1．31μm发光

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