半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制

Abstract

综合深能级缺陷和电学性质的测试结果，证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关．通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系，给出了抑制缺陷产生，提高材料质量的途径．对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论