生长氧化锌薄膜材料的方法

Abstract

一种生长氧化锌薄膜材料的方法，包括：选用硅单晶基片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；选用甲醇作为氧源，二乙基锌作为锌源；将清洗过的硅衬底放在MOCVD设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空后再充氮气升压，如此反复两次，以排净反应室中的空气；充氮气将反应室升压至适合生长的压强；将衬底升温至适合氧化锌生长的温度；打开反应室衬底底座旋转开关，使得衬底匀速旋转；在MOCVD设备中利用载气从衬底侧面通入二乙基锌，在硅衬底上生长一层锌隔离层；在MOCVD设备中利用载气从衬底顶部通入甲醇，使之与锌源反应在锌隔离层上得到氧化锌薄膜外延层；关闭锌源和氧源载气，待反应室压强升至常压，温度降至常温后从MOCVD设备中取出氧化锌样品