一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法

Abstract

本发明公开了一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，该方法包括；选用Si(001)单晶作为衬底；用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜，主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜；对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。本发明提供的这种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，过程简单、成本低，容易精确控制掺杂元素浓度，还具有使杂质原子均匀分布在薄膜内的优点