微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法

Abstract

本发明公开了一种微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法。该边发射FP激光器由下至上依次包括n型衬底(1)、下限制层(2)、有源层(3)、上限制层(4)、P型欧姆接触盖层(5)、侧面绝缘层(6)和正负电极层(7)，其中侧面绝缘层(6)和正负电极层(7)中的P型电极层用于侧向限制光场，增强腔侧向的光场或模式限制，降低腔激射阈值，提高腔端面出射效率和激光器的输出的功率。利用本发明，克服了微纳型半导体激光器定向输出的问题，并且易于分析激光器出射的FP模式，光电集成中激光光源将在二维方向上达到纳米尺寸，提高了光电器件的集成度