Thin oxide films are complex systems that have attracted great scientific
interest over the past decades. They do not only allow to model and study the
physical and chemical properties of bulk oxide materials but also display
distinct properties of their own right. Two aspects are of particular
interest: the physical and chemical properties of the films themselves and
their ability to support small metal particles on top or even inside the oxide
matrix. Therefore thin oxide films are models for real oxide systems used in
catalysis. The aim of this study is to deepen the understanding of two
distinct oxide-film systems using the scanning tunneling microscope. The
systems that have been investigated are an ultrathin silica film grown on a
molybdenum (112) single crystal and a ceria film grown on a ruthenium (0001)
single crystal. In the first part of this thesis it is shown that the silica
film is a suitable model for an atomic sieve. While some smaller atoms such as
palladium, silver, lithium and iron can penetrate the regular pores of the
film and bind to the metal-oxide interface, larger atoms such as gold cannot.
This property of the thin silica film is then further exploited to tailor the
physical and chemical properties of the system. It is shown using scanning
tunneling microscopy and scanning tunneling spectroscopy that the work
function of the silica/Mo system shifts monotonously to smaller values upon
incorporation of lithium atoms at the metal-oxide interface. This is shown to
have dramatic consequences on the adsorption behavior of the system: whereas
gold is unable to bind to the pristine silica film it can form particles of
various sizes on the modified adsorption system. The new adsorption mechanism
is described in terms of charging and a local polaronic distortion of the
oxide structure. Furthermore the silica/Mo system is used to store single iron
atoms in the pore structure of the oxide. It is demonstrated that the single
iron atoms remain dispersed as single atomic features even at non-cryogenic
temperatures and that they retain a magnetic moment. In the second part of
this thesis new insights into the local electronic structure of the ceria film
are presented. It is demonstrated that strongly localized Ce 4f -states within
the bandgap are accessible with tunneling spectroscopy measurements. This
experimental possibility yields a new understanding of the electron
localization upon oxygen-defect creation in this film which is crucial for the
understanding of the unique catalytic properties of this system. Beyond that
also new findings regarding the polarity of different step edges and line
defects are presented along with the implications for their local electronic
structure. In the last part of this thesis the adsorption of vanadium on ceria
is discussed.Dünne Oxid-Filme sind komplexe Systeme, die über die letzten Jahrzehnte
beachtliches wissenschaftliches Interesse genossen haben. Sie dienen nicht nur
als Modellsysteme für die entsprechenden Oxid-Einkristalle, sondern offenbaren
auch interessante eigene Eigenschaften. Vor allem zwei Aspekte sind dabei von
grossem Interesse: Die physikalischen und chemischen Eigenschaften der Oxid-
Filme selbst und ihre Fähigkeit Metallpartikel auf der Oberfläche oder sogar
im Film zu adsorbieren. Das Ziel dieser Arbeit ist die Vertiefung des
Verständnisses von zwei speziellen Oxid-Filmen mit Hilfe des Raster-Tunnel-
Mikroskops (RTM). Die beiden Systeme sind Silica, gewachsen auf einem Molybdän
Einkristall und Ceria, gewachsen auf einem Ruthenium Einkristall. Im ersten
Teil dieser Arbeit wird gezeigt, dass der Silica-Film ein Modell für ein
atomares Sieb darstellt. Kleinere Atome, wie Pd, Ag, Li und Fe können in die
Poren des Films eindringen, während grössere Atome wie Au nur an Defekten
binden. Diese Eigenschaft des Silica-Films wird im Weiteren genutzt um die
physikalischen und chemischen Eigenschaften zu beeinflussen. Positive Lithium-
ionen an der Metall- Oxid Grenzfläche führen zu einer Absenkung der
Austrittsarbeit des Systems. Das wiederum hat dramatische Konsequenzen auf das
Adsorptionsverhalten des Films: Gold kann nun auf dem Film stabilisiert
werden. Dieser neue Bindungsmechanismus wird anhand einer elektrostatisch
vermittelten Gitterverbiegung erklärt. Darüberhinaus wird die Oxidmatrix
genutzt um monoatomare magnetische Einheiten zu stabilisieren. Es kann gezeigt
werden, dass einzelne Eisenatome stabil in den Film gebunden werden und ein
magnetisches Moment behalten. Im zweiten Teil dieser Arbeit werden neue
Erkenntnisse bezüglich der lokalen elektronischen Struktur von Ceria-Filmen
präsentiert. Stark lokalisierte Ce 4f -Zustände können mit Hilfe des
RTMnachgewiesen werden, was ein neues Verständniss der Elektronen-
Lokalisierung nach Defektformation erlaubt. Darüberhinaus werden die
Eigenschaften ultra dünner Filme diskutiert und Ergebnisse bezüglich der
Polarität verschiedener Stufenkanten vorgestellt. Im weiteren werden
Unterschiede zwischen stochiometrischen und reduzierten Ceria-Filmen aus einer
RTM-Perspektive beschrieben. Im letzten Teil dieser Arbeit werden Experimente
zur Adsorption von Vanadium auf dünnen Ceria-Filmen vorgestellt und die
Formation von charackteristischen Adsorbatgrössen reproduziert und diskutiert