随着器件等比例缩小难度和成本的不断增加，以Si作为沟道材料SiO2作为栅介质的传统CMOS发展接近物理极限，高K介质HfO2栅高迁移率Ge沟道MOSFET成为未来CMOS集成电路技术发展的潜在选择之一。然而metal/HfO2/Ge结构MOS器件存在界面态密度高、栅极漏电流大等问题，因此研究高质量HfO2薄膜生长技术和减少HfO2/Ge界面态是提高metal/HfO2/GeMOS器件性能的有效途径之一。 本文采用远程等离子体辅助原子层沉积法(RP-ALD)生长HfO2薄膜，优化了HfO2薄膜的生长（温度）条件，研究了快速热退火(RTA)处理对薄膜性质的影响；采用原子层沉积系统(ALD)原位N...As the scaling of silicon integreated circuits almost approaches its physical limitation, germanium becomes one of the candidates to replace silicon as channel material with HfO2 dielectric for future development of CMOS technology. However, the critical issues for metal/HfO2/Ge MOS devices, such as high leakage current density and poor gate stack HfO2/Ge interface, severely deteriorate the perfor...学位：工程硕士院系专业：物理科学与技术学院_工程硕士(电子与通信工程)学号：1982013115298
