Ⅲ族氮化物作为新一代半导体材料，具有宽直接带隙、高电子漂移率、高热导率、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优点，适合制作高频、高功率、耐高温和抗辐射的电子器件，比如AlGaN基紫外发光二极管。但是紫外发光二极管依然存在低量子效率、低光输出功率等问题，提高晶体质量和载流子注入效率是解决问题的两个主要思路。影响载流子注入效率的一个重要因素是内部极化场引起的能带弯曲，本文基于APSYS软件，主要围绕紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂展开研究。 首先，本文回顾了紫外LED的发展历程，介绍了AlGaN半导体材料的结构和性质，以及紫外LED的结构、发光机理和亟待解决的研究难题。接着，介绍了紫外LED器件的模拟方法...As a new generation of semiconductor materials, III nitride owning advantages like wide direct band gap, high thermal conductivity, high electron mobility, high temperature resistance, corrosion resistant and radiation resistant. Thus it is suitable for fabricating electronic device like AlGaN-based deep UV LEDs. However, there still exist a number of problems like low quantum efficiency and low l...学位：理学硕士院系专业：物理科学与技术学院_凝聚态物理学号：1982013115296
