相比于传统紫外光源（如汞灯和氙灯），AlGaN半导体紫外光电子器件具有无汞污染、波长可调、体积小、集成性好、耐高温、抗辐射以及能耗低、寿命长等优点，在工业、农业、国防和医疗卫生等领域都有着广阔的应用前景和巨大的市场需求。然而，由于高Al组分AlGaN材料中存在诸多问题，例如外延生长困难、p型掺杂率低、发光偏振特性独特等等，导致深紫外波段器件的发光效率普遍较低，制约了深紫外发光器件的发展与应用。本论文采用第一性原理的计算模拟方法，围绕AlGaN材料中的光学偏振特性及其调控开展了系统的研究工作，以探索提高高Al组分AlGaN材料带边跃迁光发射沿c轴方向传播比率的新途径。具体的研究工作如下： 首先...Due to the advantages of mercury free, tunable wavelength, small volume, good integrity, high temperature and radiation resistance, low energy consumption and long life, etc, the Al-rich AlGaN semiconductor optoelectronic devices semiconductor devices have a wide variety of potential applications and great market demand in industry, agriculture, national defense and health and other fields. Howeve...学位：理学硕士院系专业：物理科学与技术学院_凝聚态物理学号：1982013115296
