用直拉法生长的单晶硅中，氧是最常见的杂质，硅材料制备过程使用的内吸杂工艺则是以氧沉淀及其诱生缺陷为基础。铜作为最常见的过渡族金属玷污之一，其沉淀及复合体将会较大程度地影响硅材料的性能。因此，研究氧沉淀和铜沉淀及其复合体在直拉硅单晶中的行为，除了具有重要的理论意义外，在实际生产中也可以提高硅器件的性能。本论文利用光学显微镜，傅立叶红外光谱仪及荧光光谱仪对不同热处理方式下硅中氧和铜的行为进行研究，得出的主要结论如下： （1）研究了线性升温（Ramping）的起始温度和升温速率对硅单晶中氧沉淀行为的影响。结果表明，同一升温速率下，Ramping的起始温度升高，硅片体内的氧沉淀密度降低；Rampin...Oxygen is regarded as one of the inevitable light elements in Czochralski silicon (Cz Si). Oxygen precipitates and its induced defects are the basic gettering sites in intrinsic gettering (IG) technology. Copper, as the most common transition metal contamination in silicon, its precipitates and complex will exert a large influence on the performance of silicon materials. Therefore, it is meaningfu...学位：工学硕士院系专业：材料学院_材料学学号：2072012115004
