В бакалаврській роботі приведені: теоретичні основи вимірювання температури; результати теоретичних та експериментальних досліджень кремнійових сенсорів температури на основі p-n переходів.
Інтегральний перетворювач температури (270…400 К) , побудований на 12-ти p-n переходах і МОН –транзисторі має: граничну напругу 7,7 В; температурний коефіцієнт , а середню температурну чутливість 0,1 В/ 0 С .In baccalaureate work are resulted: theoretical bases of measurement of temperature; results theoretical and experimental researches of silicon sensor controls of temperature on a basis p-n transitions.
The integrated converter of temperature (270…400 К) constructed on 12-ти p-n transitions and MDS-transistor has: a limiting voltage 7,7V; temperature factor , and average temperature sensitivity 0,1 V/ 0 С
