Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre.
Abstract
Záměr této diplomové práce je analýza, simulace, porovnání a diskuze aplikace tranzistorů MOSFET na bázi karbidu křemíku v průmyslových zdrojích. Pozornost je věnována řízení SiC MOSFETů standartními kontroléry. Celá problematika je popsána na 24V 100W měniči typu Flyback, stejně tak jako porovnání se standartním křemíkovým MOSFETem.Key of this master’s thesis is to analyze, simulate, compare and discuss the application of Silicon-Carbide MOSFET in industrial power supplies. With consideration to driving SiC MOSFET with usual PWM controllers. The whole problem is demonstrated on 24V 100W Flyback converter, same as a comparison with standard silicon-based MOSFET
