Neutron absorbed dose in a pacemaker CMOS

Abstract

The neutron spectrum and the absorbed dose in a Complementary Metal Oxide Semiconductor, has been estimated using Monte Carlo methods. Eventually a person with a pacemaker becomes an oncology patient that must be treated in a linear accelerator. Pacemaker has integrated circuits as CMOS that are sensitive to intense and pulsed radiation fields. Above 7 MV therapeutic beam is contaminated with photoneutrons that could damage the CMOS. Here, the neutron spectrum and the absorbed dose in a CMOS cell was calculated, also the spectra were calculated in two point-like detectors in the room. Neutron spectrum in the CMOS cell shows a small peak between 0.1 to 1 MeV and a larger peak in the thermal region, joined by epithermal neutrons, same features were observed in the point-like detectors. The absorbed dose in the CMOS was 1:522 £ 10¡17 Gy per neutron emitted by the source.El espectro y la dosis absorbida, debida a neutrones, por un Semiconductor de O´ xido Meta´lico Complementario ha sido estimada utilizando m´etodos Monte Carlo. Eventualmente, una persona con marcapasos se convierte en un paciente oncol´ogico que debe ser tratado en un acelerador lineal. El marcapasos contiene circuitos integrados como los CMOS que son sensibles a los campos de radiaci ´on intensos y pulsados. El haz terap´eutico de un LINAC operando a voltajes mayores a 7 MV est´a contaminado con fotoneutrones que pueden da˜nar el CMOS. En este trabajo se estim´o el espectro de neutrones y la dosis absorbida por un CMOS; adem´as, se calcularon los espectros de neutrones en dos detectores puntuales ubicados dentro de la sala. El espectro de neutrones en el CMOS tiene un pico entre 0.1 y 1 MeV y otro en la regi´on de los t´ermicos, conectados mediante neutrones epit´ermicos. Estas mismas caracter´ısticas se observan en los otros detectores. La dosis absorbida por el CMOS es 1:522 £ 10¡17 Gy por cada neutr´on emitido por el t´ermino fuente