research

Процессы переключения и доменная структура аланинсодержащих кристаллов триглицинсульфата

Abstract

Приведены результаты исследований электрофизических характеристик, процессов переключения и доменной структуры монокристаллов триглицинсульфата с примесью L-α-аланина (АТГС). Установлено, что исследованные кристаллы АТГС обладают сегнетоэлектрическими свойствами. Для большинства исследованных составов АТГС петли диэлектрического гистерезиса искажены и униполярны. С увеличением концентрации примеси L-α-аланина искажение петли увеличивается. Доменная структура кристаллов АТГС существенно отличается от доменной структуры беспримесных кристалло

    Similar works