Показано, что использование быстрых термических обработок в технологическом процессе
создания интегральных микросхем позволяет формировать мелкозалегающие p-n-переходы
за счет уменьшения перераспределения внедренной примеси при данной обработке
без ухудшения их электрических характеристик. Разработана конструкция формирования
n-p-n- и p-n-p-транзисторов, позволяющая провести вертикальное масштабирование интегральных микросхем в два раза без изменения топологических норм их проектирования.It is shown, that application of the fast thermal treatments in the technological process of creation of the integrated microcircuits ensures formation of the shallow bulk p-n-junctions due to reduction of redistribution of the implanted impurity with the given processing without deterioration of their
electric characteristics. The formation design is developed of the n-p-n- and p-n-p-transistors, making
it possible to perform the two times vertical scaling of the integrated microcircuits without variation of
the layout rated norms of their design development
