Дано общее представление о структуре IGBT транзистора, его частотных свойствах, рассмотрен процесс включения силового модуля, рассмотрены особенности параллельного
включения транзисторов, двухтактных мостовых и полумостовых схем преобразователей.The general representation about structure IGBT of the transistor and its frequency properties
is given. Process of inclusion of the power module, feature of management by transistors in duple
bridge schemes of converters is considered
