一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法

Abstract

本发明涉及一种多孔氧化物半导体纳米薄膜的制备方法。其技术方案是，使用共溅射技术，采用氧化物半导体靶材（或相应金属靶材）和造孔剂靶材，在Ar或者Ar、O2混合气氛下，在基底表面同时或者交替沉积薄膜，预制成具有氧化物／造孔剂两种物相的复合纳米薄膜。预制的复合薄膜在经过水洗后，造孔剂被溶解，得到多孔的纳米薄膜。最后将薄膜烘干，进行退火处理，能得到结晶性好、高取向、高孔隙度的纳米薄膜