半导体激光二极管发光单元及器件

Abstract

 本发明公开了一种半导体激光二极管发光单元及器件。该发光单元输出激光的功率大于0.2W,其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层,其中：第一限制层和第二限制层,用于形成PN结进行载流子输入；第一波导层和第二波导层的厚度均介于400～600nm之间,用于形成激光传输的通路；量子阱层,用于作为有源区产生激光。本发明通过增加发光单元中波导层的厚度,能够有效地提高半导体激光二极管的COD阈值