GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制

Abstract

采用双晶X射线衍射（DC－XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因。发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲。采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层，发现XRD中G N(002)ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息。该衍射信息起初为一个很宽的峰，随着选择性腐蚀的进行，会先分裂为两个峰，最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后，其中一个衍射峰会消失，而只剩下一个很窄的峰。作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两